電子元器件與信息技術(shù)投稿要求
2024-11-9 10:30:00
一、稿件要求
論點(diǎn)明確、論證嚴(yán)謹(jǐn)、數(shù)據(jù)可靠、層次分明、重點(diǎn)突出、文字簡(jiǎn)練。不能一稿多投。研究論文含圖表在內(nèi)一般6000字左右;技術(shù)簡(jiǎn)報(bào)一般2000字左右;專題綜述一般8000字左右(綜述文的撰寫者一般應(yīng)是正在從事該領(lǐng)域研究工作的專家,內(nèi)容需包括作者對(duì)本人或本課題組研究工作的評(píng)述)。
稿件不可涉及國(guó)家或單位保密信息以及重要行業(yè)敏感信息的提示內(nèi)容。
1.1文章格式
必須用word格式(本刊使用 Word 2003,附件請(qǐng)務(wù)必存為doc格式);文字用宋體五號(hào),行距1.0,除中、英文摘要外,文章主體部分分為兩欄。按“中文標(biāo)題、作者、單位、摘要、關(guān)鍵詞,英文標(biāo)題、作者、單位、摘要、關(guān)鍵詞,正文(致謝)、參考文獻(xiàn)”的順序撰寫。圖、表置于文中適當(dāng)位置。首頁(yè)下方按“收稿日期、基金項(xiàng)目、作者簡(jiǎn)介”順序列出。
1.2中英文摘要
研究成果論文應(yīng)按三要素(研究的問題,過程和方法,結(jié)論)寫出200字左右的信息性摘要。綜述文章可寫指示性或信息/指示性摘要,150字左右。關(guān)鍵詞(中英文)要求直扣主題,6個(gè)。
1.3標(biāo)題
簡(jiǎn)單明了,突出主題和創(chuàng)新亮點(diǎn)。中文標(biāo)題一般不超出20字。中英文標(biāo)題相符合。
1.4圖表
給出簡(jiǎn)明的中、英文圖題和表題,圖表應(yīng)有自明性。
1.5量和單位
所有的物理量和單位一律使用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB3100~3102.1~13《量和單位》規(guī)定的法定計(jì)量單位表述。
1.6參考文獻(xiàn)
以最近5年發(fā)表的論文為主,可列可不列者及項(xiàng)目不全者請(qǐng)勿列入。本刊嚴(yán)格執(zhí)行GB/T 7714—2015《信息與文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則》。
1.7個(gè)人簡(jiǎn)介
須提供第一作者和通訊作者簡(jiǎn)介資料:含姓名、性別、出生年、籍貫、職稱/學(xué)位、現(xiàn)研究方向、E-mail等。
征稿內(nèi)容
《電子元器件與信息技術(shù)》針對(duì)信息感知、通信、智能處理過程中的電子元器件與信息技術(shù)問題,刊登(包括但不限于):
一、新型電子信息材料及元器件、模擬/射頻/數(shù)字電路與系統(tǒng)以及相關(guān)處理算法等。具體主題包括但不限于:新型電磁材料、半導(dǎo)體材料及器件技術(shù)、微波磁性材料與器件、電子薄膜與集成器件、LTCC材料及片式元器件;天線、濾波器、功分器、環(huán)形器、耦合器等微波無源器件與電路;半導(dǎo)體集成功率器件、微波集成無源器件、單片微波集成電路MMIC、模擬/數(shù)字/數(shù)?;旌?射頻集成電路與SoC、片上互連技術(shù)以及相關(guān)的低功耗電路設(shè)計(jì)方法、電路高層次綜合算法、布局布線算法、電路校正算法、預(yù)失真算法等;面向圖像、視頻、數(shù)字信號(hào)處理、信息安全等的硬件電路設(shè)計(jì)方法學(xué);可調(diào)/可重構(gòu)電路;面向人工智能、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等問題的新型電路架構(gòu)設(shè)計(jì);
二、傳感技術(shù)、計(jì)算機(jī)與智能技術(shù)、通信技術(shù)和控制技術(shù);計(jì)算機(jī)應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)與通信工程、測(cè)控與儀器儀表、圖像與多媒體技術(shù)、開發(fā)與應(yīng)用、數(shù)字處理技術(shù)、嵌入式技術(shù)、消費(fèi)類電子、汽車電子、集成電路應(yīng)用、新特器件應(yīng)用、電源技術(shù)與應(yīng)用、信息安全、工業(yè)自動(dòng)化、電力電子等。
稿件不可涉及國(guó)家或單位保密信息以及重要行業(yè)敏感信息的提示內(nèi)容。